1.產品概述：
HSE M200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蝕工藝。可以配置手動及自動傳輸系統。產品配置高密度雙立體等離子體源，中心邊緣進氣，快速氣體切換，低頻脈沖下電極系統，可以實現高速、高深寬比、高均勻性及極小的側壁粗糙度。HSE P300主要用于12英寸硅刻蝕。采用Cluster結構布局，能夠減小占地，提升產能。系統主要由傳輸模塊、工藝模塊、灰區部件、電源柜等組成。可實現自動化地上下料及自動工藝。
2.設備應用：
HSE M200
晶圓尺寸:
8英寸及以下
適用材料:
硅、SOI、SOG
適用工藝:
深硅刻蝕
適用領域:
微機電系統、科研領域
HSE P300
晶圓尺寸:
8/12英寸兼容
適用材料:
硅、氧化硅、氮化硅
適用工藝:
深槽刻蝕、深孔刻蝕、扇出型封裝硅載體刻蝕、露銅刻蝕等
適用領域:
先進封裝
3.設備特點
HSE M200
雙等離子源和雙區進氣，保證高刻蝕均勻性和高刻蝕速率
兼容性強，工藝種類多樣，應用領域廣泛，系統可靠性強
靈活的系統配置，適合研發、中試線、大規模生產線的不同應用
低擁有成本和運營成本
HSE P300
使用立體高密度等離子源，大幅提升刻蝕速率
雙等離子源和雙區進氣，確保較高的均勻性
全自動化軟件控制，高產能
低擁有成本和運營成本
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