1. 產品概述：
THEORIS X302主要用于12英寸600℃-1200℃氧化及退火工藝。該機臺為立式單腔爐管系統，工藝處理過程實現了高度自動化。系統主要由傳輸模塊、工藝模塊、電源柜等部分組成。
2. 設備應用：
晶圓尺寸
12英寸
適用材料
硅
適用工藝
高溫干/濕氧氧化、DCE氧化、摻氮氧化、高溫退火
適用領域
先進集成電路、功率半導體、襯底材料
3. 特色參數：
濕氧氧化工藝是在氧氣中加入水汽來進行氧化反應。北方華創 THEORIS X302 氧化爐設備在濕氧氧化工藝中表現出色。它能夠精確控制水汽的含量和輸入方式，以實現對氧化膜生長速率和質量的精準調控。在溫度控制上，同樣具備高精度的特點，確保在濕氧環境下硅片受熱均勻，從而形成均勻、致密的氧化膜。氣體流量的調節也非常精準，能夠根據工藝需求靈活調整氧氣和水汽的比例，滿足不同產品對濕氧氧化工藝的特殊要求。其優秀的工藝穩定性和重復性，使得濕氧氧化工藝的結果可預測且可靠。
4.設備特點
先進的顆粒控制技術
先進的金屬污染控制技術
高精度溫度場控制技術
支持快速升/降溫度技術
高產能
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