1. 產品概述：
Tebaank® Pishow® P 硅刻蝕設備是面向8英寸集成電路制造的量產型設備設備由電感耦合等離子體刻蝕腔（ICP etch chamber）以及傳輸模塊（transfer module）構成
適用于0.11微米及其它技術代的多晶硅柵（poly gate）、側墻（spacer）、淺溝槽隔離（STI）工藝
2. 工藝數據
3 μm Trench
0.4 μm Trench
0.25 μm Trench
2 μm Poly
0.18 μm Poly
3. 詳細介紹
Tebaank® Pishow® P 硅刻蝕設備，為8英寸IC產線上柵工藝的多腔式量產型設備，擁有自主開發的優化設計， 保證了優異的刻蝕均勻性（片內<5%，片間<5%）和顆粒控制。提供AA、gate、STI、spacer、W recess等各項工藝的刻蝕解決方案。該設備高性價比的解決方案和優秀的空間利用率，可為客戶產能升提供幫助。
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