工藝優(yōu)勢
可實現(xiàn)刻蝕層的高深度精度
最大可加工200 mm的晶圓，典型均勻度<±2%
利用先進的技術(shù)對刻蝕深度進行高度控制
對襯底的損害小
可與標準ICP結(jié)合使用
原子層刻蝕工藝
原子層刻蝕通常包括4個步驟的周期，根據(jù)需要可重復多次，以達到所需的刻蝕深度。以下是使用 Cl2/Ar進行AlGaN刻蝕的ALE示例：
步驟 1) 對基底進行刻蝕氣體的投放，刻蝕氣體吸附在刻蝕材料上并與之發(fā)生反應。通常，刻蝕氣體經(jīng)等離子體解離以增強吸附速率。通過正確選擇投放氣體和參數(shù)，這個步驟可以實現(xiàn)自限制，即在吸附一層分子后化學投放停止。
步驟 2) 清除所有剩余的投放氣體
步驟 3) 用低能惰性離子轟擊表面，去除已發(fā)生反應的表面層。如果離子的能量足以去除化學修飾層，但不足以（濺射）刻蝕下層塊狀材料，這可能是自限制。
步驟 4)清除腔室內(nèi)的刻蝕產(chǎn)物。
原子層刻蝕的優(yōu)勢
采用低離子能量，刻蝕損傷小
精確控制刻蝕深度
超薄層去除
自限制行為
選擇性高，因為可對劑量氣體和離子能量進行定制，以盡量減少對掩膜層或底層材料的刻蝕
刻蝕速率受刻蝕特征長寬比的影響較?。礈p少ARDE），因為自由基的供應和表面離子轟擊已分成獨立的步驟
由于具有自限性，均勻性得到改善
刻蝕表面光滑
由于依賴離子轟擊，因此具有各向異性
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