一、高真空互聯物理氣相薄膜沉積系統概述：

沉積系統可用于制備光學薄膜、電學薄膜、磁性薄膜、硬質保護薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩定、模塊化結構，采用行業頂尖的軟件控制系統；4英寸鍍膜區域內片內膜厚不均勻性：≤±2.5%，8英寸鍍膜區域內片內膜厚不均勻性：≤±3.5%，測定標準以Ti靶材，濺射200——500nm厚薄膜，邊緣去5mm，隨機5點取樣測定為準。

樣品托面中心到地面的高度約1360mm；

鍍膜材料適用于：Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni、氧化鋁，氧化鈦，氧化鋯，ITO，AZO，氮化鉭，氮化鈦等；

二、PVD平臺概述：既專注單一功能、又可通過拓展實現多平臺聯動：

1、 關鍵部件接口都為標準接口，可以通過更換功能單元實現電子束、電阻蒸發、有機蒸發、多靶或單靶磁控濺射、離子束、多弧、樣品離子清洗等功能；

2、 系統平臺為準無油系統，提供更優質的超潔凈實驗環境，保障實驗結果的可靠性和重復性；

3、 系統可以選擇單靶單樣品、多靶單樣品等多層沉積方式；

4、 靶基距具有腔外手動調節功能；

5、 系統設置一鍵式操作，可以實現自動手動切換、遠程控制、遠程協助等功能；

6、 控制軟件分級權限管理，采用配方式自動工藝流程，提供開放式工藝編輯、存儲與調取執行、歷史數據分析等功能，可以不斷更新和升級；

7、 可以提供網絡和手機端查詢控制功能（現場要具備局域網絡），實現隨時查詢數據記錄、分析統計等功能；

8、 節能環保，設備能耗優化后運行功率相比之前節能10%；；

9、 可用于標準鍍膜產品小批量生產。

  三、互聯系統技術描述

    真空互聯系統由物理氣相沉積磁控濺射系統A、物理氣相沉積磁控濺射系統B、物理氣相沉積、電子束及熱阻蒸發鍍膜系統A、物理氣相沉積電子束及熱阻蒸發鍍膜系統B、進樣室、出樣室、傳輸管、機械手等組成，可以實現樣品在真空環境下不同工藝方法的樣品薄膜制備和傳遞。