1. 產品概述
離子束刻蝕的靈活性、均勻性俱佳且應用范圍廣。我們的設備具有靈活的硬件選項，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統配置與實際應用緊密協調，以確保獲得速率更快且重復性更好的工藝結果。百科：?離子束刻蝕系統（IBE）是一種物理刻蝕技術，利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子，并通過陽極電場加速的離子束對樣品表面進行物理轟擊，以達到刻蝕的目的。?離子束刻蝕（IBE），也稱為離子銑（Ion Beam Milling），是一種具有強方向性的物理刻蝕機理，能夠產生各向異性刻蝕，適用于小尺寸圖形的加工。
2. 設備特點
磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）；
介電薄膜；
III-V族光電子材料刻蝕；
自旋電子學；
金屬電極和軌道；
超導體；
激光端面鍍膜；
高反射（HR）膜；
防反射（AR）膜；
環形激光陀螺反射鏡；
X射線光學系統；
紅外（IR）傳感器；
II-VI族材料；
通信濾波器。
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