1. 產品概述:
CMP拋光機,全稱為化學機械拋光機,是一種針對薄膜(如介質層)進行拋光處理的設備。它結合了化學刻蝕和機械摩擦的綜合作用,通過精確控制拋光過程中的化學和機械參數,實現對晶圓表面材料的精細去除和平坦化處理。CMP拋光機具有操作便捷、兼容性強等特點,能夠根據不同尺寸和類型的晶圓進行適配,并通過更換拋光壓頭等方式實現多種拋光工藝的需求。
2. 設備用途/原理:
CMP拋光機在半導體制造中扮演著至關重要的角色,其主要用途包括:
1. 晶圓表面平坦化:在集成電路制造過程中,CMP拋光機用于對晶圓表面進行平坦化處理,以消除表面起伏和缺陷,提高晶圓表面的平整度。這對于后續工藝步驟的順利進行和芯片性能的提升至關重要。
2. 薄膜厚度控制:CMP拋光機能夠精確控制晶圓表面薄膜的厚度,確保薄膜厚度達到設計要求。這對于提高芯片的性能和可靠性具有重要意義。
3. 特殊材料加工:除了集成電路制造外,CMP拋光機還廣泛應用于3D封裝技術、特殊材料加工等領域。例如,在3D封裝技術中,CMP拋光機用于處理芯片之間的連接面,以確保連接的精確性和可靠性。
3. 設備特點
CMP拋光機具有以下幾個顯著特點:
1 高精度控制:CMP拋光機采用先進的控制系統和精密的機械結構,能夠實現對拋光過程中各項參數的精確控制。這包括拋光壓力、拋光盤轉速、拋光頭轉速等關鍵參數,從而確保拋光效果的穩定性和一致性。
2 多工藝兼容:CMP拋光機具有較強的兼容性,能夠根據不同材料和工藝的需求進行適配。通過更換拋光壓頭、調整拋光液配方等方式,CMP拋光機可以實現對多種材料和工藝的拋光處理。
3 自動化程度高:現代CMP拋光機通常配備有自動化上下片系統、自動清洗系統等輔助設備,能夠實現拋光過程的自動化操作。這不僅提高了生產效率,還降低了人工操作帶來的誤差和風險。
4 環保節能:CMP拋光機在設計和制造過程中注重環保和節能。例如,采用低能耗的電機和傳動系統、優化拋光液配方以減少廢液排放等措施,都有助于降低設備運行過程中的能耗和環境污染。
綜上所述,CMP拋光機作為半導體制造領域的重要設備之一,具有高精度控制、多工藝兼容、自動化程度高和環保節能等特點。隨著半導體技術的不斷發展和進步,CMP拋光機也將不斷升級和完善,為半導體制造行業的發展提供更加有力的支持。
4. 設備參數
項目/型號 | POLI-400L |
大晶圓尺寸 | 6英寸 |
拋光盤尺寸 | ?406mm(16inch) |
拋光盤轉速 | 30~200 RPM |
拋光頭轉速 | 30~200 RPM |
Wafer壓力 | 70~500g/cm2 氣囊柔性加壓 |
往復式修整系統 | 可升擺臂式修整系統 |
摩擦力&溫度監測系統 | 可選配,可增選EPD功能 |
供液系統方式 | 蠕動泵,獨立3路通道 |