PICOSUN™P-300B原子層沉積系統已經成為高產能ALD 制造業的新標準。擁有熱壁、*  獨立的前驅體管路和特殊的載氣設計， 確  保我們可以生產出具有優異的成品率、低  顆粒水平和電學和光學性能的高質 量ALD薄膜。高效緊湊的設計使得維護更  加方便、快捷， 最大限度的減少了系統的  維護停工期和使用成本。擁有技術的 Picoflow™使得在超高深寬比結構上沉積  保形性薄膜更高效， 并已在生產線上得到 驗證。

PICOSUN™P-300B原子層沉積系統襯底尺寸和類型

•   200mm晶圓 25片/批次（標準間距）

•    150mm 晶圓 50片/批次（標準間距）

•    100mm 晶圓 75片/批次（標準間距）

•    非標準晶圓類基底（使用定制夾具）

•    高深寬比基底（最大深寬比1:2500）

工藝溫度

•    50 – 500°C

標準工藝

•   批量生產的平均工藝時間小于10秒/循環*

•   Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN, TiN以及各種金屬

•    同一批次薄膜不均勻性<1% 1σ

(Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)**

基片加載

•    氣動升降， 手動裝載

•    線性半自動裝載

前驅體

•    液態， 固態， 氣態， 臭氧源

•    源瓶余量傳感器， 提供清洗和裝源服務

•     4根獨立的源管線，最多加載8個前驅體源
 

　　原子層沉積系統是良好的表面處理技術，該技術使用原子層沉積過程，按照亞納米級別的精度，在基體表面沉積單層原子膜，以達到修飾表面性能、改變表面電學和光學特性、材料保護和涂覆等多種功能的目的。原子層沉積系統是當今材料科學領域的前沿技術之一，應用廣泛，包括電子器件、太陽能電池、光伏材料、顯示器件、防護涂層、生物醫學材料等諸多領域。以下是關于原子層沉積系統的詳細介紹。

　　1. 基本原理

　　原子層沉積系統(ALE)是從ALD技術發展而來的一種薄膜制備技術。ALD是指采用氣相前體的周期性傳輸，依次處理表面，形成單原子層的薄膜。ALE利用相鄰兩次ALD循環中的氣相前體反應，使得沉積膜每一層都由單原子層組成，在一定程度上解決了ALD中膜的缺陷和不均勻性的問題。ALE主要基于以下兩個原理：

　　（1）自限制性化學反應：采用氣體氛圍下的自限制反應，將一系列有機或無機前驅體按照預先設定的循環次數，精確均一地沉積在基板表面，形成納米尺度的原子層，并使用惰性氣體清理，防止氧化反應的發生，從而保證了膜的高質量和均勻性。

　　（2）表面擴散：在氣體逐層沉積之后，基板表面的反應物分子會擴散到已經沉積的前驅體層中，反應完成后前驅體層的厚度幾乎相同，對膜的質量保證了非常高的要求。

　　2. 主要特點

　　（1）阻擋層優良：ALE所制備的阻擋層質量極為優良；

　　（2）自成膜：ALE所制備的膜都是由最小的自成膜單位組成的，亞納米級別的自動校正能力有助于大幅降低缺陷率，從而提高阻擋膜的可靠性；

　　（3）均勻性優異：ALE能夠在大面積上實現薄膜均勻處理，是制作納米電子器件中各種功能材料的優選技術；

　　（4）多維控制：ALE對制備過程中的溫度、氣壓、反應時間、前驅體流量等參數進行精細控制，可以實現沉積的高純度和可控性；

　　（5）穩定性高：ALE制備出的薄膜穩定且質量可靠，可以應用于長壽命產品，尤其是微電子和生物醫藥領域。

　　3. 應用

　　（1）防護涂層：ALE制備的阻擋層具有優異的氧化防護性能，可用于超大規模集成電路等半導體器件上保護電路穩定性；

　　（2）光電器件：ALE制備的鎂銀合金膜、物質輸運層等能顯著提高半導體材料的電學和光學性能，應用于光伏器件；

　　（3）生物醫學：ALE制備的氧化鋁膜、二氧化硅膜等材料可用于生物醫學行業，在制備各種生物傳感器、生物芯片等方面有廣泛應用；

　　（4）納米材料：ALE可以制備出具有優異性能的納米材料和納米鏈，如氮化硅等；

　　（5）電子元器件：ALE制備的超薄膜材料可以大幅度提高器件的性能和穩定性，如超級電容器等。

　　總之，原子層沉積系統作為一項良好的表面處理技術，讓制備各種材料、器件等變得更加精細、可控、可靠，在電子、醫學、能源、環保等領域都發揮著極為重要的作用。作為一項重要的二十一世紀新技術，原子層沉積系統有著更廣闊的應用前景和發展空間。