一、濕法腐蝕機用途和特點：1、 用途：主要用微細加工、半導體、微電子、光電子和納米技術工藝中在硅片、陶瓷片上顯影，濕法腐蝕，清洗，沖洗，甩干與光刻、烘烤等設備配合使用。
設備能滿足各類以下尺寸的基片處理要求，并配制相應的托盤夾具。2、濕法腐蝕機特點：（1）外觀整潔、美觀，占地面積小，節省超凈間的使用面積；
（2）VoD頂蓋閥門控制技術 避免二次污染；（3）顯影腐蝕液獨立的試劑供給管路；（4）處理腔內差壓精準控制；（5）滿足2英寸~8英寸的防腐托盤；
（6）試劑注射角度可調節；（7）設計的“腔洗"構造，保證“干進干出"；（8） 濕法腐蝕機具備高性能、低故障率、長使用壽命、易操作維修、造型美觀、售后服務完備。
二、工作原理：顯影系統具有可編程閥，它可以使單注射器試劑滴膠按照蝕刻、顯影和清洗應用的要求重復進行，如沖洗（通常是去離子水或溶劑），然后干燥（通常是氮氣）等最后的處理步驟。
采用此序貫閥門技術的晶圓片和管道在干燥的環境中開通和關閉處理過程。隔離和獨立的給水器可處在靜態的位置還可以蓋內調節。勻膠顯影機還有可選擇的動態線性或徑向滴膠的特性。
三、適用工藝（包括但不限于下述濕法制程）光刻膠顯影（KrF/ArF）SU8厚膠顯影顯影后清洗PostCMP清洗光罩去膠清洗光刻膠去除金屬Lift-off處理刻蝕微刻蝕處理
四、主要技術參數：1. 系統概述1.1智能嵌鎖，系統蓋板具有智能嵌鎖裝置，確保操作安全；1.2保護氣體，CDA（清潔干燥氣體）/氮氣（N2）,氣壓60~70PSI；1.3通信接口，藍牙連接；
2. 基片及處理方式2.1 基片尺寸滿足直徑200mm以內基底材料；2.2 基片處理方式，手動上下載；3. 控制系統3.1 用戶界面，650高精度數顯屏/基于Windows的SPIN3000操作軟件；
3.2 最大可存儲20個程序段；3.3 最大51 驟工藝步驟；3.4時間設定范圍，0.1S~99Min59.9S（最小增量0.1 S）；3.5最大旋轉速度，3,000 rpm，±0.5 rpm (帶安全罩)；3.6馬達加速度，
1–12,000 rpm/s ；4. 試劑分配系統4.1 化學試劑分配4.1.1 A標準腔洗 Bowl Wash 1路純水和1路氮氣；4.1.2 B 背部清洗 Back Riser 1路純水；4.1.3 C 樣片沖洗甩干1路純水和1路氮氣；
4.1.4 D 自定義化學試劑可同時接入（根據用戶應用選擇幾路液體）自定義的化學試劑（顯影液/腐蝕液/其他清洗液）；4.2試劑供給方式*4.2.1 A 系統所需純水和氮氣以及壓縮氣體（可用氮氣替代）由實驗室自行供應；
4.2.2 B 自定義化學試劑由氣動泵浦BP和壓力容器供給；4.3 注射裝置采用日本的池內專用噴嘴；
化工儀器網