電子級(jí)CVD金剛石膜片（基底材料）
電子級(jí)CVD金剛石膜片（基底材料）不僅強(qiáng)度高，透明度高，而且熱傳導(dǎo)性好，且成本較天然金剛石低，能夠制備各種幾何形狀，理論上對(duì)尺寸是沒(méi)有限制的，在電子、光學(xué)、機(jī)械等工業(yè)領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。
CVD金剛石合成方法的顯著進(jìn)展使得在常規(guī)基礎(chǔ)上制備適合于輻射探測(cè)的金剛石成為可能。CVD方法的不斷改進(jìn)，未來(lái)可期大面積同質(zhì)外延生長(zhǎng)的單晶金剛石平板/薄膜。CVD金剛石具有廣闊的應(yīng)用前景，如射頻二極管、雙極結(jié)型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、微機(jī)電系統(tǒng)和電子工業(yè)等。不斷的創(chuàng)新和不懈的努力為放射治療劑量計(jì)等醫(yī)學(xué)領(lǐng)域指明了方向。
產(chǎn)品參數(shù)：
Lateral Tolerance : | +0.2/-0 mm |
Crystallographic Orientation (Miscut) : | +/-3° |
Face Orientation : | {100} faces |
Crystallography : | Typically 100% single sector {100} |
Edges : | Laser Cut |
Laser Kerf : | 3° |
Edge Orientation : | <110> edges |
Side Roughness Ra : | polished, Ra < 5 nm on {100} face |
Thickness Tolerance : | +/- 0.05 mm |
硼含量 | <1 ppb |
ChargeCollection Efficiency (CCE) : | Typically >95% |
Charge Collection Distance (CCD) : | Typically >475µm, @0.5 V µ/m applied field, for 500 µm plate |
Nitrogen Concentration : | < 5 ppb |
產(chǎn)品選擇：
貨號(hào) | 產(chǎn)品描述 | 尺寸（長(zhǎng)*寬*厚） | 規(guī)格 |
| Electronic Grade CVD | 2.0*2.0mm*0.50mm | 片 |
| Electronic Grade CVD | 3.0*3.0mm*0.50mm | 片 |
| Electronic Grade CVD | 4.5*4.5mm*0.50mm | 片 |
| Electronic Grade CVD | 2.0*2.0mm*0.30mm | 片 |
| Electronic Grade CVD | 3.0*3.0mm*0.30mm | 片 |
| Electronic Grade CVD | 4.5*4.5mm*0.30mm | 片 |
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