產品介紹:

       SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的*選半導體材料。然而生長優質的SiC單晶非常困難，其中*一要素就取決于SiC晶種的品質。晶種的類型、表面性質和吸附變化*地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。

       合能陽光提供的SiC晶種，可充分滿足不同需求的客戶，優質的晶種品質為客戶SiC長晶的成品率與晶片質量提供了可靠的保障。

標準技術參數：

型號：4H-N/Si  6H-N/Si

等級：工業級   研究級

 直徑：2寸  4寸  6寸

 厚度：330 μm±25μm   500μm±25μm  

 晶片方向：Off axis : 4.0° toward<1120> ±0.5° for 4H-N  On axis : <0001>±0.5° for 4H-Si

微管密度： ≤ 5 cm -2

電阻率范圍：0.0015-0.1Ω·cm

主定位邊方向：{10-10}±5.0°

次定位邊方向：Silicon face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0°

邊緣去除：2mm

局部厚度變化/彎曲度/翹曲度：≤ 4μm/ ≤ 10μm / ≤ 25μm / ≤ 35μm

表面粗糙度 ：拋光Ra ≤ 1 nm  清洗 Ra ≤ 0.5 nm

裂紋（強光觀測）：無       

六方空洞（強光燈觀測）：面積 ≤ 0.05%

多型(強光燈觀測)：無

目測包裹物（日光燈觀測）：面積 ≤ 0.05%

劃痕(強光燈觀測)： 無

崩邊：無

表面污染物（強光燈觀測）：無

包裝：真空盒裝                  

典型客戶:

美國，歐洲，亞洲及國內SiC晶體生產和襯底企業。