JSM-7800F Prime采用新開發的超高分辨率GBSH模式,達到了世界zui高水準的分辨率。浸沒式肖特基Plus電子槍,將zui大探針電流從200nA提高到了500nA。
浸沒式肖特基Plus場發射電子槍 電子槍和低像差聚光鏡的優化組合,實現了更高的亮度,能有效采集電子槍中發射的電子,即使在低加速電壓下也能獲得數 pA~數10 nA 探針電流,保持zui小的物鏡光闌就可以進行納米尺寸的高分辨率觀察、快速元素面分布及EBSD分析。 | |
利用GBSH(GENTLE BEAM SUPER HIGH RESOLUTION)觀察樣品表面以前的GB※模式經過改進后,可以對樣品施加更高的電壓,這樣在低加速電壓下也能獲得超高分辨率的圖像。從樣品的淺表面觀察到納米尺寸的元素分析,GBSH能根據各種不同的應用選擇加速電壓。※Gentle Beam(GB) 通過給樣品加以偏壓(GB),對入射電子有減速、對釋放出的電子有加速作用。 | |
通過GENTLE BEAM (即柔和光束GB模式)觀察樣品的淺表面給樣品加以偏壓(GB),對入射電子有減速、對釋放出的電子有加速作用。即使入射電子束到達樣品時的能量很低,也可以獲得高分辨率、高信噪比的圖像。如果利用能施加更高偏壓的GB模式,用數十電子伏能量的入射電子束,就可以進行更高分辨率的觀察。 | |
通過多個檢測器獲取樣品的所有信息JSM-7800F配有四種檢測器:高位檢測器(UED) 、高位二次電子檢測器(USD)、背散射電子檢測器(BED)和低位檢測器(LED)。UED過濾器的電壓不同,二次電子和背散射電子的數量會改變,因此可以選擇電子的能量,USD檢測被過濾器彈回的低能量電子,BED通過檢測低角度的背散射電子,能清楚地觀察通道襯度。利用LED的照明效果能夠獲得含有形貌信息的、富有立體感的圖像。 |
應用實例
利用GBSH進行觀察 JSM-7800F Prime 標配了GBSH模式。下圖是高定向熱解石墨(HOPG)解理面的二次電子像,到達樣品時的能量為1keV,左圖中樣品偏壓為-2kV,右圖中樣品偏壓為-5kV。 可以看出利用GBSH(樣品偏壓-5 kV)模式觀察,HOPG的微細結構更加清晰,達到的分辨率更高。 | |
以前的技術 樣品偏壓2KV | 技術 樣品偏壓5KV |
產品規格
分辨率 | 0.7 nm(15 kV) 0.7 nm(1 kV) 3.0 nm (15kV、5nA、WD10mm) |
倍率 | ×25 ~ ×1,000,000(SEM) |
加速電壓 | 0.01kV ~ 30kV |
樣品照射電流(探針電流) | 數pA~500nA |
自動光闌角*控制透鏡 | 內置 |
檢測器 | 高位檢測器(UED) 低位檢測器(LED) |
能量過濾器 | UED過濾器電壓可變功能內置 |
Gentle Beam (GB模式即柔和光束) (樣品偏壓) | 內置 |
數字圖像 | 1,280 x 960 像素, 800 x 600 像素 |
樣品交換室 | 由TYPE2A構成 |
樣品臺 | 全對中測角樣品臺、5軸馬達驅動 |
X-Y | X:70mm, Y:50mm |
傾斜 | -5 ~ +70° |
旋轉 | 360° |
工作距離 | 2mm to 25mm |
真空系統 | SIP 2臺、TMP、RP |
節能設計 | 正常運行時: 1.3kVA 節能模式時: 0.8kV |
JSM-7800F的物鏡采用的是靜電場和靜磁場疊加的超級混合式物鏡(SHL),由于減少了色差及球差,極大地提高了低加速電壓下的分辨率。此外,SHL不會對樣品形成磁場影響,因此觀察磁性材料的樣品和進行EBSD測試可以不受制約。
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