一、光刻機(jī)是掩模對準(zhǔn)曝光機(jī),曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等,是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術(shù),把掩膜版上的精細(xì)圖形通過光線的曝光印制到硅片上。
二、分類:
手動:指的是對準(zhǔn)的調(diào)節(jié)方式,是通過手調(diào)旋鈕改變它的X軸,Y軸和thita角度來完成對準(zhǔn),對準(zhǔn)精度可想而知不高了;
半自動:指的是對準(zhǔn)可以通過電動軸根據(jù)CCD的進(jìn)行定位調(diào)諧;
自動:指的是從基板的上載下載,曝光時長和循環(huán)都是通過程序控制,自動光刻機(jī)主要是滿足工廠對于處理量的需要。
三、技術(shù)指標(biāo):
(1)支持基片的尺寸范圍,分辨率、對準(zhǔn)精度、曝光方式、光源波長、光強(qiáng)均勻性、生產(chǎn)效率等。
(2)分辨率是對光刻工藝加工可以達(dá)到的最細(xì)線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。
(3)對準(zhǔn)精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。
(4)曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。
(5)曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域,光源有汞燈,準(zhǔn)分子激光器等。
四、光刻機(jī)種類:
(1)接觸式曝光:掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當(dāng),設(shè)備簡單。接觸式,根據(jù)施加力量的方式不同又分為:軟接觸,硬接觸和真空接觸。
(2)接近式曝光:掩膜板與光刻膠基底層保留一個微小的縫隙(Gap),Gap大約為0~200μm??梢杂行П苊馀c光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷,使掩膜和光刻膠基底能耐久使用;掩模壽命長(可提高10倍以上),圖形缺陷少。接近式在現(xiàn)代光刻工藝中應(yīng)用最為廣泛。
(3)投影式曝光:在掩膜板與光刻膠之間使用光學(xué)系統(tǒng)聚集光實現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉(zhuǎn)移圖形的4倍制作。優(yōu)點:提高了分辨率;掩膜板的制作更加容易;掩膜板上的缺陷影響減小。
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