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MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀
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貨物所在地: 浙江杭州市
更新時間: 2024-12-11 18:49:35
期: 2024年12月11日--2025年12月11日
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產品簡介

MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀將參考光路內置于干涉儀中,將光學相干光路等集成在單個光電芯片上,一步實現激光干涉儀的線型測長和標定功能,從而簡化了干涉儀系統測試時的復雜程度。

詳細介紹

MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀基于激光干涉原理,激光干涉儀是高精度、高靈敏度的測量儀器,廣泛應用在先進制造領域。MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀采用了自主研發的高度集成化的激光傳感平臺,以工業應用中最重要的線型標定為核心,將干涉儀的參考光路內置于干涉儀中,將光學相干光路等集成在單個光電芯片上,一步實現激光干涉儀的線型測長和標定功能,從而簡化了干涉儀系統測試時的復雜程度。

MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀


MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀半導體典型應用

●超高精度位置跟蹤應用

在光刻過程中,分辨率是反映光刻機理論上可識別的最小特征尺寸的重要指標,也決定著運動系統的控制精度。由于整個曝光過程中要求系統以恒定的速度運行,對速度的均勻性要求較高,因此對控制的精度的要求更為苛刻,通常情況下,勻速性由跟蹤誤差反映,無掩模掃描式光刻系統的控制要滿足納米級精度, 工件臺自身的控制也要求達到該數量級,并且工件臺控制系統的跟蹤定位精度也是影響套刻精度的重要因素,預防反復曝光芯片刻蝕過程中,發生偏離導致電路圖案扭曲影響芯片性能。


l  平面檢測

在光刻測量過程中,硅片在高速運動情況下,容易發生形變,從而影響硅片的平面度,降低光刻精度。為了優化硅片平臺的操作模式,需要一種納米級超高精度、無接觸的形變量測量方式。




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