EddyCus map C2C全自動電阻率成像系統(tǒng)用于晶圓襯底或外延片的全面積表征，以確保半導(dǎo)體行業(yè)的工藝可靠性和質(zhì)量保證。該系統(tǒng)配備了兩個(gè)在傳輸模式下工作的非接觸式渦流傳感器。這允許非常詳細(xì)地顯示基底材料或?qū)щ娡繉拥木鶆蛐浴Ｔ撓到y(tǒng)能夠測量薄膜的薄層電阻或金屬膜厚度以及晶圓襯底的電阻率。

EddyCus®map C2C是一種全自動測量設(shè)備，用于晶圓襯底或外延片的全面積表征，以確保半導(dǎo)體行業(yè)的工藝可靠性和質(zhì)量保證。EddyCus map C2C全自動電阻率成像系統(tǒng)配備了兩個(gè)在傳輸模式下工作的非接觸式渦流傳感器。這允許非常詳細(xì)地顯示基底材料或?qū)щ娡繉拥木鶆蛐浴Ｔ撓到y(tǒng)能夠測量薄膜的薄層電阻或金屬膜厚度以及晶圓襯底的電阻率。

創(chuàng)新的浮動晶圓技術(shù)

在器件的開發(fā)過程中，重點(diǎn)是將系統(tǒng)與晶圓的接觸減少到最小，以免影響晶圓的完整性。因此，該設(shè)備幾乎非接觸式工作。晶圓基板或涂層的表面沒有被觸摸。僅選擇性地并且在晶圓的側(cè)表面上以很小的力進(jìn)行接觸。請查看我們的EddyCus®地圖C2C視頻，了解處理過程。

高分辨率、全表面晶圓map

測量設(shè)備可對晶圓或涂層進(jìn)行高分辨率的全區(qū)域成像，讓您深入了解表征晶圓的質(zhì)量。根據(jù)設(shè)置和您的時(shí)間要求，可以想象幾十到數(shù)萬個(gè)測量點(diǎn)。

該軟件還提供了各種分析工具，如直方圖或各種線輪廓。要查看晶圓上的某個(gè)區(qū)域的具體細(xì)節(jié)，您可以使用選擇工具選擇相關(guān)位置，然后使用線輪廓或直方圖再次對其進(jìn)行分析。

用于150毫米和200毫米晶圓的暗盒

EddyCus®map C2C有一個(gè)裝載裝置，可以裝載150毫米（6英寸）晶圓和200毫米（8英寸）晶圓的晶圓載體。晶片載體的容量為25個(gè)晶片。

自動晶圓搬運(yùn)

對于晶片成像，晶片從暗盒/載體轉(zhuǎn)移到渦電流傳感器，然后放回暗盒。對于希望減少處理晶圓時(shí)間的制造企業(yè)來說，一個(gè)有用的工具是自動化晶圓處理。我們的自動化晶圓處理技術(shù)降低了勞動力成本，提高了加工精度，并降低了人為錯誤的可能性。晶片由系統(tǒng)精確測量、處理和運(yùn)輸，從暗盒到測量站，再返回暗盒。通過這樣做，不再需要人為操作晶片，從而防止測量誤差和潛在的晶片損壞。

專用于寬帶隙材料，如SiC、GaN

一種被稱為寬帶隙材料的半導(dǎo)體材料具有比典型半導(dǎo)體更寬的能帶隙。晶體管和其他集成電路是在半導(dǎo)體領(lǐng)域使用寬帶隙材料制成的。這些組件對半導(dǎo)體至關(guān)重要，因?yàn)樗鼈兲峁┝烁叩墓β市屎透斓那袚Q時(shí)間。寬帶隙材料適用于高功率應(yīng)用，因?yàn)樗鼈円簿哂休^大的擊穿電壓。它們能夠更好地承受輻射，這使它們非常適合用于太空應(yīng)用。碳化硅、氮化鎵和金剛石是具有寬帶隙的材料的幾個(gè)例子。許多不同的應(yīng)用，如電源、太陽能電池和激光二極管，都使用這些材料。

薄層電阻、層厚度和電阻率測量

EddyCus® map C2C能夠確定薄膜的薄層電阻和厚度以及晶片襯底的電阻。該設(shè)備具有大的測量范圍，這意味著幾乎所有可能的應(yīng)用都可以通過該設(shè)備進(jìn)行測量。

EddyCus map C2C全自動電阻率成像系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)