ICP CVD——感應耦合等離子體-化學氣相沉積
- 公司名稱 北京宏昌信科技有限公司
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- 廠商性質 代理商
- 更新時間 2015/11/8 21:22:45
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感應耦合等離子體-化學氣相沉積(ICP-CVD)
主要特點
1. 離子能量和離子電流密度分別控制
2. 典型的工藝壓強:1-10 毫托
3. 等離子體密度:大約5×1011/cm2
4. 等離子體和襯底相接觸
5. 沉積過程中離子電流的能量低
6. 離子電流(等離子體密度)取決于ICP的功率
7. ESS(靜電屏蔽)功能做到真正的感應耦合
典型應用:
1. 面向剝離技術的低溫沉積
2. 低溫沉積超高質量二氧化硅
3. 低溫沉積多晶硅
4. ICP是*自動匹配(2個射頻自動匹配單元)
牛津儀器的ICP CVD工具
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特征 | Plasmalab System 80Plus | Plasmalab System100 | Plasmalab System133 |
| ICP65 | ICPCVD180 | ICPCVD380 |
電極尺寸 | 240mm | 240mm | Up to 330mm |
進樣 | 開放進樣 | 真空進樣 | 真空進樣 |
襯底 | 50mm wafers 2英寸晶片 | 6英寸,可以選擇多片或小片的載片臺 | 8英寸,可以選擇多片或小片的載片臺 |
摻雜劑 | 不行 | 包括PH3,B2H6和GeH4在內的多種摻雜劑 | 包括PH3,B2H6和GeH4在內的多種摻雜劑 |
液體源 | 不行 | 不行 | 不行 |
質量流量計控制的氣體管線 | 可使用8或12根管線 | 可使用8或12根管線 | 可使用8或12根管線 |
載片臺的溫度范圍 | 20°C到 400°C | 0°C 到 400°C | 0°C 到400°C |
在位等離子體清洗 | 可以 | 可以 | 可以 |