托托科技 多功能顯微系統 磁光克爾顯微鏡 應用在磁性薄膜材料顯微磁疇測量
(a)為樣品 CoTb(6 nm)/SiN(4 nm)在零磁場附近出現迷宮疇以及孤立斯格明子磁泡結構(Skyrmions Bubble),圖中單個穩定的Skyrmions Bubble 的尺寸為1 μm。為研究基于 SK-RM賽道存儲器提供光學無損傷探測支持。
(b)為樣品 Pt(4 nm)/Co (5 nm)/Ta(2 nm)在磁場的驅動實現磁疇運動和翻轉,磁矩“1”和“0”信息狀態清晰可見。
(c)290K下,樣品CuCr2Te/Cr2Te3,磁場驅動磁疇翻轉。上圖顯示的是 180 Oe磁場下的磁疇態,下圖顯示的是 -180 Oe 磁場下的磁疇態。
托托科技 多功能顯微系統 磁光克爾顯微鏡 應用在梯度自旋流累積
(a)Pt(up to 3.2 nm)/Co(0.6 nm)/Pt(1.5 nm)楔形樣品構建梯度自旋流積累,實現無場翻轉;
(b)和(d),表示不同電流密度下,磁疇成核過程。(I=10 mA,Hx= 0 Oe)/( I=22 mA,Hx= 0 Oe) Hall Bar磁疇成核過程。測試電流小時,薄膜樣品磁疇在十字中心位置成核(紫色圓圈);當測試電流逐漸變大,磁疇在十字臂一側成核(紫色方形);
(c)和(e),表示不同電流密度下,磁滯回線。(I=10 mA,Hx= 0 Oe)/( I=22 mA,Hx= 0 Oe)下的磁滯回線。大電流密度有助于磁場驅動磁疇翻轉;