特征

• 27.12MHz高密度等離子工藝

• SiH ₄型：SiO ₂、SiNx、SiON、a-Si、TEOS 型：可提供 SiO ₂薄膜

• 可使用CF ₄ +O _{2等離子體清潔腔室}

• 與有機EL低溫成膜用加熱器兼容

• 通過托盤傳輸支持各種尺寸的電路板

• 真空箱允許在 C 系列單元之間進行間接連續處理（濺射：CS-200，蒸發：CV-200）。

目的

• 功率器件

• LED、LD、高速器件等相關化合物

• 有機EL開發

• 太陽能電池開發

• 微機電系統

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