| 產地類別 | 國產 | 應用領域 | 電子,冶金,航天,電氣,綜合 |
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廣州金程科學儀器公司供應的RIE反應離子刻蝕機，采用RIE反應離子誘導激發方式，實現對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特 別適合于大學、科研院所，微電子、半導體企業實驗室進行介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護，處理快速高效。適用于所有的基材及 復雜的幾何構形進行 RIE反應離子刻蝕。具體包括：
◆ 介 電 材 料 (SiO2、SiNx等)
◆ 硅基材料 (Si,a-Si,poly Si)
◆III-V材料 (GaAs、InP、GaN 等)
◆ 濺射金屬 (Au、Pt、Ti、Ta、W等)
◆ 類金剛石 (DLC)
等離子刻蝕機原理：
等離子蝕刻，也稱為干法蝕刻，等離子刻蝕機 是一種利用等離子體對半導體材料進行刻蝕加工的 設備，是半導體制造過程中不ke或缺的設備之一。 利用等離子體作為蝕刻介質，通過控制射頻功率、 氣體流量、壓力、蝕刻氣體種類、處理時間、平臺 溫度等工藝參數，選擇性地移除沉積層特定部分的 材料，將圖案蝕刻到基材上的過程。
應用領域：主要用于微電子芯片、太陽能電池、生物芯片、顯示器、光學、通訊等領域的器件研發和制造。
儀器特點：
◆ 7寸彩色觸摸屏中英文互動操作界面，自動控制監測工藝參數狀態，20個配方程序，工藝數據可存儲追溯。
◆ PLC 工控機控制整個清洗過程，手動、自動兩種工作模式。
◆ 真空艙體、全真空管路系統采用316不銹鋼材質，耐腐蝕無污染。
◆ 采用防腐數字流量計，實現對氣體輸入精準控制。標配雙路氣體輸送系統，可選多氣路氣體輸送系統，可輸入氧氣、氬氣、 氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。
◆ 采用花灑式多孔進氣方式，改變單孔進氣不均勻問題。
◆ HEPA 高效過濾，氣體返填吹掃，防止二次污染。
◆ 符合人體功能學的60度傾角操作界面設計，操作方便，界面友好。
◆ 采用頂置真空艙，上開蓋設計，下壓式鉸鏈開關方式。
◆ 上置式360度水平取放樣品設計，符合人體功能學，操作更方便。
◆ 有效處理面積大，可處理最大直徑154mm 晶元硅片。
◆ 安全保護，艙門打開，自動關閉電源，機器運行、停止提示。
技術參數
型號 | RIE200 | RIE200plus |
艙體內尺寸 | H38xφ260mm | H38xφ260mm |
艙體容積 | 2L | 2L |
射頻電源 | 40KHz | 13.56MHz |
電極 | 不銹鋼氣浴RIE電極，φ200mm | 不銹鋼氣浴RIE電極，φ200mm |
匹配器 | 自動匹配 | 自動匹配 |
刻蝕方式 | RIE | RIE |
射頻功率 | 0-600W可調(可選0-1000W) | 0-300W可調(可選0-600W) |
氣體控制 | 質量流量計(MFC) (標配雙路，可選多路)流量范圍0-500SCCM(可調) | |
工藝氣體 | Ar、N? 、O? 、H? 、CF4、CF4+H2、CHF3或其他混合氣體等(可選) | |
最大處理尺寸 | φ154mm | |
產品尺寸 | L520xW600xH420mm | |
包裝尺寸 | L700xW580xH490mm | |
時間設定 | 9999秒 | |
真空泵 | 抽速約8m3/h | |
氣體穩定時間 | 1分鐘 | |
極限真空 | ≤1Pa | |
電源 | AC220V 50-60Hz,802(1202)502(802)W所有配線符合《低壓配電設計規范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設計規范》等國標標準相關規定。 | |
整機重量 | 38kg | |
備注： 可選：1、冷卻循環水器：溫度控制范圍-20-100℃;2、分子泵：分子泵抽速85L/s(N2) 極 限 真 空 ：LF<8*10-
6Pa,CF<8*10-7Pa。
RIE反應離子刻蝕機信息由廣州金程科學儀器有限公司為您提供。
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