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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>工藝測量和檢測設備>其它晶圓缺陷檢測設備> 金屬薄膜方阻測試儀

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金屬薄膜方阻測試儀

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公司成立于2021年,是一家注冊在蘇州、具備技術的非接觸式半導體檢測分析設備制造商。公司集研發、設計、制造、銷售于一體,主要攻克國外壟斷技術,替代進口產品,使半導體材料測試設備國產化。

主要產品:非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀、方阻測試儀、硅片電阻率測試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀、遷移率(霍爾)測試儀、少子壽命測試儀,晶圓、硅片厚度測試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測試和解決方案

憑借*的技術和豐富的產品設計經驗申請各項知識產權20余項,已發展成為中國大陸少數具有一定國際競爭力的半導體專用設備提供商,產品得到眾多國內外主流半導體廠商的認可,并取得良好的市場口碑。





晶圓電阻率測試儀,硅片電阻率測試儀,渦流法低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,遷移率測試儀,少子壽命測試儀

金屬薄膜方阻,方塊電阻又稱膜電阻,是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值,該數值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關,其單位為Siements/sq,后增加歐姆/sq表征方式,該單位直接翻譯為方塊電阻或者面電阻,用于膜層測量又稱為膜層電阻。蒸發鋁膜、導電漆膜、印制電路板銅箔膜等薄膜狀導電材料,衡量它們厚度的最好方法就是測試它們的方阻。什么是方阻呢?方阻就是方塊電阻,指一個正方形的薄膜導電材料邊到邊“之”間的電阻,如圖一所示,即B邊到C邊的電阻值。方塊電阻又稱膜電阻,是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值,該數值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關,其單位為Siements/sq,后增加歐姆/sq表征方式,該單位直接翻譯為方塊電阻或者面電阻,用于膜層測量又稱為膜層電阻。

產品描述:

金屬薄膜方阻測試儀主要利用結光電壓技術非接觸測試具有P/N或N/P結構的樣品的方阻(發射極薄層方阻)。

特點:

非接觸,非損傷測試,測試速度快,重復性佳,可直接測試產品片。

金屬薄膜方阻測試儀技術參數:

探頭量程10-500Ω/sq
探頭性能動態重復性靜態重復性示值誤差
測試條件:采樣率50SPS(20ms),20個點/每次
10-50Ω/sq<2%<0.5%≤±3%
50-200Ω/sq<1%<0.2%≤±3%
200-500Ω/sq<0.6%<0.15%≤±3%
外形尺寸探頭:60mm×30mm×83mm(L×W×H)
控制盒:173×130×55mm
信號采集采樣率:**500SPS
數據接口:RS232 RS485 CAN TCP/IP
傳輸協議:ModbusRtu/ModbusTcp、用戶自定義SOCKET協議等

JPV測試數據

實驗數據—相關性

金屬薄膜方阻測試儀

實驗數據—重復性和準確性


樣片1

樣片2

樣片3

樣片4


四探針

SemiLab

九域

四探針

SemiLab

九域

四探針

SemiLab

九域

四探針

SemiLab

九域

1

98.5

99.51

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106.1

105.77

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131.2

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Ave

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99.03

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Rsd

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-0.25%


0.25%

0.20%


0.82%

-0.15%

說明:

1、四探針重復性較差,探針頭容易出問題導致測試偏差很大

2、Semilab重復性和九域重復性偏差不大

3、準確度偏差都保證在一定的范圍之內



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