1.產(chǎn)品概述：

PSE V300主要用于12英寸深硅刻蝕，同時兼具Bosch/Non-Bosch工藝，實現(xiàn)多工藝領域覆蓋。該機臺針對Bosch循環(huán)工藝方式采用專業(yè)先進的快速響應硬件配置及軟件流程控制，結合先進的工藝技術，可實現(xiàn)超高深寬比下良好的工藝性能，配置多腔平臺，滿足大產(chǎn)能量產(chǎn)使用需求。

2.設備應用：

晶圓尺寸

8/12 英寸兼容

適用材料

硅、氧化硅、氮化硅

適用工藝

2.5D&3D TSV刻蝕、深槽隔離/電容刻蝕、MEMS刻蝕

適用領域

集成電路、先進封裝、功率半導體、圖像傳感器、微機電系統(tǒng)

3.特色優(yōu)點：

刻蝕方式：采用快速氣體和射頻切換控制系統(tǒng)結合的方式，能夠在高深寬比深硅刻蝕中精準控制側壁形貌，實現(xiàn)側壁無損傷和線寬無損傷，且刻蝕均勻性、選擇比更佳 135。

結構設計：每腔單片設計，具有更好的氣流場均勻性和真圓度工藝表現(xiàn)，可確保半導體器件制造工藝的質(zhì)量和穩(wěn)定性更優(yōu)。并且機臺可同時配置 6 個腔室，產(chǎn)能和性能表現(xiàn)優(yōu)異 15。

晶圓邊緣保護：通過優(yōu)化機臺晶圓邊緣保護裝置，有效提高了產(chǎn)品良率，其效果優(yōu)于當前行業(yè)產(chǎn)品指標 。

工藝應用：全面應用于國內(nèi)各大 12 英寸主流 fab 廠，不僅是 TSV 量產(chǎn)生產(chǎn)線主力機臺，還擴展至功率器件、CIS 等領域。例如，在 TSV 工藝中表現(xiàn)出色；在 2.5D 工藝中，可提供能滿足 BVR（背面通孔暴露）和 BFR（背面平整暴露）不同工藝需求的刻蝕工藝解決方案。

 4.設備特點

兼容Bosch/Non-Bosch工藝，實現(xiàn)多工藝領域覆蓋

優(yōu)化的進氣系統(tǒng)和ESC系統(tǒng)，提高均勻性

快速進氣系統(tǒng)，確保刻蝕速率高，Scallop小

實現(xiàn)高深寬比的形貌控制