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GaAs/GaN用快速退火爐

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硒化快速熱氧化退火爐GaAs硫化

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  北京朗銘潤(rùn)德光電科技有限公司是一家在半導(dǎo)體微電子、高精密光學(xué)鍍膜領(lǐng)域,光伏、光熱、鋰電池等新能源領(lǐng)域以及窗膜、汽車膜、柔性電路板等行業(yè)提供專業(yè)相關(guān)工藝設(shè)備的代理公司。
 
  從2006年起與德國(guó)著名微電子設(shè)備專業(yè)廠家FHR公司開(kāi)始合作,并于2008年成為其中國(guó)區(qū)的代理機(jī)構(gòu)。通過(guò)我們的合作,使 FHR的產(chǎn)品逐漸進(jìn)入中國(guó),并成為國(guó)內(nèi)鍍膜設(shè)備的供貨商。
 
  我們于 2010 年在北京石景山中關(guān)村高科技園區(qū)成立了專業(yè)代理國(guó)外微電子半導(dǎo)體及相關(guān)設(shè)備的北京朗銘潤(rùn)德光電科技有限公司,并與*技術(shù)供貨商建立合作關(guān)系,為公司全面化運(yùn)轉(zhuǎn)及操作奠定了良好開(kāi)端。
 
  我們堅(jiān)持品味與個(gè)性、規(guī)范與強(qiáng)大、敬業(yè)與專注的理念,以化的視野、以技術(shù)和高品位的產(chǎn)品、高尚的商德、高水準(zhǔn)的服務(wù)取信于用戶,取信于市場(chǎng)。憑借良好的現(xiàn)代企業(yè)運(yùn)行機(jī)制、“應(yīng)用是驅(qū)動(dòng)”和“以人為本”的發(fā)展理念,造就了一支富有激情、技術(shù)過(guò)硬的團(tuán)隊(duì),為公司的高速發(fā)展打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
 
  北京朗銘潤(rùn)德光電科技有限公司在向客戶提供產(chǎn)品的同時(shí),更向客戶提供服務(wù);為客戶著想,與客戶共求發(fā)展,共創(chuàng)雙贏: 朗銘值得您的信賴與期待!

鍍膜機(jī),氣體控制系統(tǒng),快速退火爐,閥門

產(chǎn)地類別 進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工,能源,電子
 GaAs/GaN用快速退火爐

北京朗銘潤(rùn)德光電科技有限公司是一家在半導(dǎo)體微電子、高精密光學(xué)鍍膜領(lǐng)域,光伏、光熱、鋰電池等新能源領(lǐng)域以及窗膜、汽車膜、柔性電路板等行業(yè)提供專業(yè)相關(guān)工藝設(shè)備的代理公司。
 
  從2006年起與德國(guó)著名微電子設(shè)備專業(yè)廠家FHR公司開(kāi)始合作,并于2008年成為其中國(guó)區(qū)的代理機(jī)構(gòu)。通過(guò)我們的合作,使 FHR的產(chǎn)品逐漸進(jìn)入中國(guó),并成為國(guó)內(nèi)鍍膜設(shè)備的供貨商。
 
  我們于 2010 年在北京石景山中關(guān)村高科技園區(qū)成立了專業(yè)代理國(guó)外微電子半導(dǎo)體及相關(guān)設(shè)備的北京朗銘潤(rùn)德光電科技有限公司,并與*技術(shù)供貨商建立合作關(guān)系,為公司全面化運(yùn)轉(zhuǎn)及操作奠定了良好開(kāi)
 
1、設(shè)備尺寸詳情:
 
  AS-0NE100:530*800*1425mm
  AS-0NE150:530*800*1425mm
 
  2、型號(hào)介紹:
 
  不銹鋼水冷壁腔室壁真空快速退火爐(快速熱處理爐),具有4英寸(100 mm) 和 6英寸 (150 mm) 兩種版本
 
  3、性能和特征:
 
  可處理4-inch 及以下和 6-inch 及以下的晶圓,可適用大范圍類型的基片:硅和化合物半導(dǎo)體晶圓,GaN /藍(lán)寶石和碳化硅晶圓,多晶硅晶圓,玻璃,金屬,高分子聚合物,石墨和碳化硅托盤等等。
 
  設(shè)備應(yīng)用具有:硒化、硫化、接觸退火,注入退火,RTO (快速熱氧化) ,RTN (快速熱氮化) ,硅平滑,擴(kuò)散,致密化和結(jié)晶化,石墨烯CVD,碳納米管等。
 
  不銹鋼水冷腔壁技術(shù),高工藝復(fù)現(xiàn)性,超潔凈及無(wú)污染環(huán)境
 
  高冷卻速率,低記憶效應(yīng)
 
  具有真空能力,可選配分子泵
 
  溫度控制:高溫計(jì)和熱電偶控制+快速數(shù)字PID溫度控制器
 
  邊緣高溫計(jì)視口,確保用于化合物半導(dǎo)體和小型樣品
 
  基片托的溫度控制
GaAs/GaN用快速退火爐

  AS-0NE100:530*800*1425mm

 

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