供貨周期 | 現貨 | 規格 | 500*800 |
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貨號 | FT60100-4 | 應用領域 | 環保 |
主要用途 | 警示水域 |
單點拋錨浮標警示船只浮體
浮體應(英語:Floating body effect)是在SOI技術中實現的晶體管與體勢(body potential)相關的應。晶體管在緣體層上形成個電容。這個電容上聚集的電荷可能會產生負面應,例如,開啟結構上的寄生晶體管和關態泄漏電流(off-state leakages),造成高的電流消耗,以動態隨機存取存儲器丟失信息。它也造成歷史應(英語:history effect),即晶體管與之前狀態閾值電壓有關的應。在模擬電路器件中,浮體應被稱作扭結應(英語:Kink effect)。
單點拋錨浮標警示船只浮體
動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是種半導體存儲器,主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表個二進制比(bit)是1還是0。由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象,導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據,而導致數據毀損。因此對于DRAM來說,周期性地充電是個可避的要件。由于這種需要定時刷新的性,因此被稱為“動態”存儲器。相對來說,靜態存儲器(SRAM)只要存入數據后,縱使不刷新也不會丟失記憶。
與SRAM相比,DRAM的勢在于結構簡單——每個比的數據都只需個電容跟個晶體管來理,相比之下在SRAM上個比通常需要六個晶體管。正因這緣故,DRAM擁有高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,DRAM也有訪問速度較慢,耗電量較的缺點。
門前左右角樓為鳴金、奏樂和瞭望,東西兩側是轅門。整個建筑飛檐畫棟,雄偉壯觀。其興建于1888年(光緒十四年)。占地面積近1萬平方米,"傍海修筑,高距危巖,下臨地,飛甍廣廈,輪奐美焉"。其平面呈長方,主體建筑分前后三棟,三進院落。