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TEM小室

參考價(jià)10.00
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 武漢弗凡科技有限責(zé)任公司
  • 品牌FUFAN/弗凡科技
  • 型號(hào)
  • 所在地武漢市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2024/8/6 14:13:28
  • 訪問(wèn)次數(shù) 18612
產(chǎn)品標(biāo)簽

TEM小室GTEM小室橫電磁波小室

規(guī)格
FF-T45B10.00元10 臺(tái)可售
FF-T20B10.00元10 臺(tái)可售
FF-T30B10.00元10 臺(tái)可售
FF-T40B10.00元10 臺(tái)可售

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     武漢弗凡科技有限責(zé)任公司是一家為客戶提供電磁兼容配套服務(wù)的專業(yè)公司,是國(guó)內(nèi)橫電磁波傳輸室(GTEM室)的主要制造商之一,可按照客戶特殊要求,設(shè)計(jì)和生產(chǎn)特定規(guī)格的產(chǎn)品。

      公司成立以來(lái)發(fā)展迅速,業(yè)務(wù)不斷發(fā)展壯大,我公司主要經(jīng)營(yíng)電磁兼容性技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)服務(wù)、電磁屏蔽系統(tǒng)及其配套設(shè)備的設(shè)計(jì)、集成。

    公司主要產(chǎn)品包含有各種規(guī)格的TEM小室、GTEM室、電磁兼容室、微波暗室、消隔聲屏蔽室的設(shè)計(jì)、系統(tǒng)集成、安裝和技術(shù)服務(wù)。公司自主研發(fā)的電流探頭、阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)(LISN)、磁環(huán)天線等試驗(yàn)檢測(cè)設(shè)備及EMC測(cè)試軟件產(chǎn)品也被廣泛應(yīng)用于部隊(duì)、船舶、航空航天、國(guó)家電網(wǎng)、大學(xué)院校、計(jì)量院、汽車電子、鐵路交通等多個(gè)行業(yè)。

     我們有優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和專業(yè)的銷售和技術(shù)團(tuán)隊(duì),如果您對(duì)我公司的產(chǎn)品服務(wù)有興趣,期待與您合作







TEM小室,GTEM小室,測(cè)試儀器儀表,屏蔽室,電波暗室,電磁兼容

產(chǎn)地類別 國(guó)產(chǎn)
  隨著電磁兼容(EMC)檢測(cè)技術(shù)的發(fā)展和提高,人們正針對(duì)不同的電子電器產(chǎn)品尋求更為簡(jiǎn)單便捷的檢測(cè)方法,尤其對(duì)于小型的電子產(chǎn)品,如:電動(dòng)玩具、集成電路(PBC板)、汽車電子零部件等。由于開(kāi)闊場(chǎng)、屏蔽室和電波暗室的諸多缺點(diǎn)和不足,1974年美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)局(NBS)的專家首先系統(tǒng)地描述了橫電磁波傳輸小室,簡(jiǎn)稱TEM小室( Transverse  Electromagnetic  Transmission  Cell)。其外形為上下兩個(gè)對(duì)稱梯形。橫電磁波傳輸小室具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造成本低、檢測(cè)方法簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn),其主要缺點(diǎn)是可用頻率上限與可用空間存在矛盾。標(biāo)準(zhǔn)TEM小室的測(cè)量尺寸大約限定在設(shè)計(jì)的小工作波長(zhǎng)的四分之一范圍,但對(duì)于小尺寸的被測(cè)件,可以滿足測(cè)試的要求和技術(shù)指標(biāo)。
 
  參照標(biāo)準(zhǔn)
 
  YD/T 1690.2-2007 《中華人民共和國(guó)通信行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)》–電信設(shè)備內(nèi)部電磁發(fā)射診斷技術(shù)要求和測(cè)量方法(150KHz~1GHz)  第2部分:輻射發(fā)射測(cè)量TEM小室和寬帶TEM小室方法
 
  IEC 61967-2(2005-09)《集成電路-電磁騷擾的測(cè)試方法(150KHz~1GHz)第2部分:輻射騷擾測(cè)量——TEM小室和寬帶TEM小室法》
 
  DINEN61000-4-20-2011 《電磁兼容性(EMC)-第4-20部分:試驗(yàn)和測(cè)量方法.橫向電磁(TEM)波導(dǎo)的輻射和干擾試驗(yàn)》
 
  IEC 61000-4-20-2010 《TEM室測(cè)試方法》
 
  GB/T 17626.20-2014 《電磁兼容、試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)》橫電磁波(TEM)波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾度試驗(yàn)
 
  GJB151B-2013 《設(shè)備和分系統(tǒng)電磁發(fā)射和敏感度要求與測(cè)量》-RS105瞬態(tài)電磁場(chǎng)輻射敏感度
 
  ISO 11452-3/SAE J1113-24 《道路車輛用窄帶發(fā)射的電磁能量進(jìn)行電子干擾部件試驗(yàn)方法》-TEM小室
 
  IEEE 1309-2013 《頻率為9KHz~40GHz的電磁場(chǎng)傳感器和探頭(天線除外)的校準(zhǔn)》
 
  JJG 561-88 /JJG 562-88《中華人民共和國(guó)國(guó)家計(jì)量檢定規(guī)程》
 
  TEM小室結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
 
  標(biāo)準(zhǔn)TEM小室經(jīng)常稱之為CRAWFORD室(參見(jiàn)圖1)。它是一個(gè)矩形雙導(dǎo)體傳輸線結(jié)構(gòu)。被測(cè)件EUT被安置在它的中隔板(一般稱為芯板)。TEM室的導(dǎo)體兩端被削制成錐形。傳輸線是閉合的,雖然它沒(méi)有對(duì)稱軸,但經(jīng)常被稱之為同軸的。TEM小室有一個(gè)輸入測(cè)量端口和一個(gè)輸出測(cè)量端口,它的錐形端經(jīng)過(guò)中段的過(guò)渡與50Ω端口同軸連接器相匹配。TEM小室有一個(gè)自由場(chǎng)所產(chǎn)生的高階的模所決定的有限帶寬。在銘感度/抗擾度試驗(yàn)中,EUT的大高度不僅限制了場(chǎng)均勻度,而且還改變了EUT對(duì)室的耦合方式。在一個(gè)TEM小室中可以用來(lái)進(jìn)行抗擾度試驗(yàn)的近似大容積是:1/3乘以中隔板(芯板)和上部表面的距離后的積再與1/3乘以TEM室寬度的積相乘,而且這個(gè)結(jié)果幾乎還可以推至1/2乘以1/2。在一個(gè)典型的TEM小室中,它仍可能保持并獲得一個(gè)±1dB的場(chǎng)均勻度。
 
TEM小室測(cè)試方法
 
  TEM小室提供了針對(duì)EUT的抗擾度或者輻射發(fā)射的寬帶測(cè)量方法。TEM小室不像傳統(tǒng)天線具有帶寬、非線性相位、方向性以及極化方向等固有的限制。TEM(橫電磁波)小室是經(jīng)過(guò)擴(kuò)展的傳輸線,其中傳播來(lái)自外部或者內(nèi)部源的橫電磁波。這種波由彼此正交的電場(chǎng)(E)和磁場(chǎng)(H)構(gòu)成,波平面與其在小室或者傳輸線的傳播方向垂直。這種場(chǎng)是模擬自由空間中阻抗為377Ω時(shí)的平面場(chǎng)。TEM模式?jīng)]有低端截止頻率。這樣小室可以按照預(yù)期工作在盡可能低的頻率下。TEM模式同時(shí)具有線性化相位和恒定的幅度(表征為頻率的函數(shù))。這樣就可以使用小室來(lái)產(chǎn)生或者檢測(cè)已知的場(chǎng)密度。小室的截止頻率取決于測(cè)試信號(hào)在小室內(nèi)因?yàn)橹C振以及多次模而產(chǎn)生的失真。這種影響是小室的物理尺寸和形狀的函數(shù)。
 
  TEM小室具有一定的尺寸和形狀,輸入、輸出饋入點(diǎn)均阻抗匹配,其VSWR在額定范圍內(nèi)小于1.5。通過(guò)論證可以得到小室在很窄的頻率范圍內(nèi)具有很高的VSWR,從而產(chǎn)生初次諧振。其高VSWR是由于小室具有很高的品質(zhì)因數(shù)Q。如果小室經(jīng)過(guò)驗(yàn)證可以在其大頻率上產(chǎn)生場(chǎng),那么該小室也適用于在該頻率下進(jìn)行發(fā)射測(cè)量。
 
  TEM小室輻射抗擾度測(cè)試
 
  TEM類型的小室是為了進(jìn)行輻射敏感度的試驗(yàn),同時(shí)成本上又較為經(jīng)濟(jì)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。TEM小室法輻射抗擾度測(cè)試示意圖如圖2。
 
  TEM小室的輸入端接信號(hào)源和功率放大器,另一端接50Ω的匹配負(fù)載,在TEM小室內(nèi)腔就可以形成高強(qiáng)度的電磁場(chǎng),適合用來(lái)進(jìn)行電磁抗擾度的測(cè)試。同時(shí),在小室的接口板處還可接出監(jiān)測(cè)設(shè)備,用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)被測(cè)件EUT的工作狀態(tài)。采用TEM小室法進(jìn)行輻射抗擾度測(cè)試,在其頻率范圍試驗(yàn)水平可高度400V/m。
 
  TEM小室在內(nèi)部導(dǎo)體(芯板)和外殼(接地平板)之間產(chǎn)生均勻場(chǎng)強(qiáng),TEM小室內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度計(jì)算公式為:
 
  P=(E*D)2/Z
 
  式中:
 
  E=電場(chǎng)強(qiáng)度,單位:V/m
 
  P=輸入TEM小室的功率,單位:W
 
  Z=TEM小室的阻抗,單位:50Ω
 
  D(d)=芯板與接地平板之間的距離,單位: m
 
圖3  TEM小室結(jié)構(gòu)尺寸說(shuō)明
 
  TEM小室輻射騷擾測(cè)試
 
  現(xiàn)在TEM小室也可以用來(lái)測(cè)量來(lái)自被測(cè)件EUT或集成電路PCB的輻射發(fā)射,源于被測(cè)件EUT的發(fā)射場(chǎng)通過(guò)小室的發(fā)射模進(jìn)行耦合,并以此在室的一個(gè)端口耦合到一個(gè)電壓。小室的外導(dǎo)體頂端有一個(gè)方形開(kāi)口用于安裝測(cè)試電路板。其中,集成電路的一側(cè)安裝在小室內(nèi)側(cè),互連線和外圍電路的一側(cè)向外。這樣做使測(cè)到的輻射發(fā)射主要來(lái)源于被測(cè)的IC芯片。受測(cè)芯片產(chǎn)生的高頻電流在互連導(dǎo)線上流動(dòng),那些焊接引腳、封裝連線就充當(dāng)了輻射發(fā)射天線。當(dāng)測(cè)試頻率低于TEM小室的一階高次模頻率時(shí),只有主模TEM模傳輸,此時(shí)TEM小室端口的測(cè)試電壓與騷擾源的發(fā)射大小有較好的定量關(guān)系,因此,可用此電壓值來(lái)評(píng)定集成電路芯片的輻射發(fā)射大小。用作輻射騷擾測(cè)試的TEM小室需具有跟IC測(cè)試板相匹配的接入端口。TEM小室法輻射騷擾測(cè)試示意圖如圖4。
 
  用TEM小室進(jìn)行輻射騷擾測(cè)量的優(yōu)點(diǎn):由于它是在一個(gè)屏蔽室進(jìn)行的,因此把可能感應(yīng)到的環(huán)境電壓降到了極低的水平,一般地講也就是測(cè)量設(shè)備的本地噪聲。
 
  技術(shù)參數(shù)
 
型號(hào)命名說(shuō)明:FF-T□□A
 
  A:芯板將內(nèi)部空間1:1分區(qū);B:芯板將內(nèi)部空間1:2分區(qū);
 
  □□:為TEM小室內(nèi)部空間尺寸,單位為cm;
 
  T:TEM小室縮寫(xiě);
 
  FF:武漢弗凡科技簡(jiǎn)稱;
 


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