應用領域

原子層沉積技術由于其沉積參數的高度可控型（厚度，成份和結構），優異的沉積均勻性和*性使得其在微納電子和納米材料等領域具有廣泛的應用潛力。該技術應用的主要領域包括：

1） 晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate）

2） 微電子機械系統（MEMS）

3） 光電子材料和器件

4） 集成電路互連線擴散阻擋層

5） 平板顯示器（有機光發射二極管材料，OLED）

6） 互連線勢壘層

7） 互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer）

8） DRAM、MRAM介電層

9） 嵌入式電容

10） 電磁記錄磁頭

11） 各類薄膜（<100nm）

技術參數：

基片尺寸：4英寸、6英寸；

加熱溫度：25℃~350℃；

溫度均勻性：±1℃；

前體溫度范圍：從室溫至150℃，±2℃；可選擇加熱套；

前驅體數：一次同時可處理多達 5 個 ALD 前體源；

PLC 控制系統：7英寸16 位彩色觸摸屏HMI控制；

模擬壓力控制器：用于快速壓力檢測和脈沖監測

樣品上載：將樣品夾具從邊上拉出即可；

壓力控制裝置：壓力控制范圍從0.1~1.5Torr

兩個氧化劑/還原劑源，如水，氧氣或氨氣；

在樣品上沒有大氣污染物，因為在沉積區的附近或上游處無 Elestamor O 型圈出現;

氧化鋁催化劑處理能力：6-10 次/分鐘或高達 1.2 納米/ 分鐘（同類*）

高縱橫比沉積，具有良好的共形性

曝光控制，用于在 3D 結構上實現所需的共形性；

預置有經驗證過的 3D 和 2D 沉積的優化配方；

簡單便捷的系統維護及安全聯鎖；

目前市面上占地zui小，可兼容各類潔凈室要求的系統；

可以為非標準樣品而訂制的夾具，如 SEM / TEM 短截線

原子層沉積ALD的應用包括：

1) High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；

2)導電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN)；

3)金屬互聯結構 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；

4)催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；

5)納米結構 (All ALD Material)；

6)生物醫學涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；

7) ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；

8)壓電層 (ZnO, AlN, ZnS)；

9)透明電學導體 (ZnO:Al, ITO);

10)紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);

11) OLED鈍化層 (Al2O3);

12)光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);

13)防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；

14)電致發光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);

15)工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);

16)光學應用如太陽能電池、激光器、光學涂層、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);

17)傳感器 (SnO2, Ta2O5);

18)磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2)；

目前可以沉積的材料包括：

1）氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...

2）氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... 

3）氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...

4）金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... 

5）碳化物: TiC, NbC, TaC, ... 

6）復合結構材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... 

7）硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...